随着DRAM制程微缩，Rowhammer攻击威胁日益严重。现有缓解方案多需修改内存控制器，兼容性差。本文提出ProTRR，首个具备形式化安全保证的DRAM内目标行刷新（Target Row Refresh）方案。ProTRR在DRAM芯片内部实现，无需改动控制器，但受限于DRAM协议的同步特性，同一时刻能保护的行数有限。为此，ProTRR采用主动刷新策略，优先刷新最可能发生比特翻转的行。然而，攻击者可能利用未刷新行发动攻击。作者构建了Feinting攻击，并证明在ProTRR策略下该攻击是最优的。随后，ProTRR通过配置参数抵御Feinting攻击。为降低硬件开销，ProTRR提出一种新型频繁项计数方案，利用Feinting攻击的特性，在容忍的DRAM脆弱性、计数器数量与额外刷新次数之间实现可证明最优的灵活权衡。基于ASIC实现与周期精确仿真的评估表明，ProTRR能为当前及未来DRAM技术提供有原则的保护，且性能、功耗和面积影响可忽略。ProTRR完全兼容DDR4及DDR5的刷新管理（RFM）扩展。