本文提出了一种名为“Memory Band-Aid”的纵深防御方案，旨在缓解Rowhammer攻击。Rowhammer是一种利用DRAM内存单元间电磁干扰的硬件漏洞，攻击者通过密集访问同一内存行（激活行），可能导致相邻行发生位翻转，从而破坏数据完整性或实现权限提升。现有防御措施如目标行刷新（TRR）存在局限性，尤其是随着DRAM工艺尺寸不断缩小，Rowhammer攻击的阈值逐渐降低。Memory Band-Aid方案采用多层防御架构：首先，在系统层面引入随机化内存分配策略，增加攻击者预测目标行的难度；其次，在内存控制器层面增强刷新策略，根据实际访问模式动态调整刷新频率；最后，在操作系统层面集成异常检测机制，监控内存访问模式以识别潜在的Rowhammer行为。实验在多种DRAM模块上进行，结果表明该方案能有效降低位翻转概率，且性能开销小于5%。本文的主要贡献在于提出了一个可实际部署的、原则性的纵深防御框架，并分析了其效果与权衡。适合系统安全研究员、内存控制器设计者及操作系统开发者阅读。