该论文提出动态Rowhammer阈值管理（Dynamic Rowhammer Threshold Management），一种与具体防御方法无关的运行层，用于解决传统Rowhammer防御在制造时固定阈值（TRHD）而忽略运行温度变化的问题。作者观察到真实的Rowhammer阈值（TRHD）随温度升高而降低（即温度退化效应），因此设计了一个基于线性-T模型的运行时层，每个时间周期根据观测温度重新计算防御阈值，并引入基于VRD（Variable Rowhammer Degradation）的防护带g。该层通过每个防御方法的阈值参数将结果映射到SALT-C、PRAC和TRR等具体防御机制。为打破模型自洽性，作者采用一个解耦的oracle，按DIMM对物理TRHD缩放δ ~ N(1, σ)。实验结果显示：该运行层使PRAC在85°C下的72次陈旧性违规降至0；在σ=0.10时，扫描g使PRAC违规从38.4（g=1.0）降至9.6（g=0.9）；SALT-C的违规次数从默认静态的10次降至动态的2次，再降至引导（bootstrap）模式的0次，同时延迟开销≤5.1%。TRR受容量限制，该运行层主要起诊断作用。论文主要贡献在于提出一种轻量级、与防御无关的动态阈值管理方法，能有效应对温度变化对DRAM Rowhammer脆弱性的影响，并兼容现有主流防御方案。适合DRAM安全研究人员、计算机架构师和内存控制器设计者阅读。

Rowhammer漏洞随着DRAM工艺进步和代际更迭变得日益严峻，现有缓解方案如Graphene、Twice、Hydra主要依赖跟踪每行的激活次数，并在达到预设阈值时发出刷新指令。然而，这些方法存在固有缺陷，例如难以准确识别真正面临比特翻转风险的行的位置，导致大量不必要的刷新操作，影响性能与能效。本文提出了一种名为Rowhammer Vulnerability Count (RVC)的新框架，它将检测重心从“攻击者行的激活计数”转移到“受害者行的实际脆弱性评估”。RVC通过分析行的物理特性与访问模式，动态判断哪些行即将发生比特翻转，并仅对这些行选择性发送刷新指令，从而在保障安全的前提下大幅减少刷新次数。实验表明，与Graphene相比，RVC将缓解性刷新操作减少了95%至99.99%，且无额外存储开销。此外，RVC可将能效提高最多76.91%并降低平均LLC延迟。该研究还指出先前工作在设定跟踪阈值时存在的安全缺陷。RVC在准确性与效率上均优于现有方法，为现代DRAM系统提供了一种可扩展的高效Rowhammer防护方案。适合硬件安全研究人员、内存控制器设计者及系统安全工程师阅读。