现代DRAM芯片容易受到读取干扰现象的影响，例如RowHammer和RowPress，这些现象会在访问相邻行一定次数后导致比特翻转。ColumnDisturb是一种全新的、根本不同的DRAM读取干扰现象。与RowHammer和RowPress不同，ColumnDisturb干扰的是DRAM的列而非行，并且受影响DRAM单元的数量从仅几个相邻行扩展到三个连续DRAM子阵列中的所有单元。本文提出了ColumnKeeper，这是第一套ColumnDisturb缓解方案，包含两种变体：ColumnKeeper-D（CK-D）是一种确定性机制，ColumnKeeper-P（CK-P）是一种概率性机制。CK-D利用DRAM的开位线架构，以较低的性能和能量开销提供确定性的安全保证：它使用每个子阵列的两个计数器来跟踪影响奇数列和偶数列的激活，当任一计数器达到预定阈值时，刷新子阵列中的一行。CK-P则以预定概率在中间子阵列行激活时刷新三个连续子阵列中的一行，以较低的面积开销提供可配置的安全保证。两种机制都能以较低的性能、能量和面积开销防止ColumnDisturb比特翻转。在当前实验证明的ColumnDisturb阈值（1M）下，CK-D和CK-P的平均单核性能开销分别仅为0.15%和0.36%。对于近未来的阈值（128K），开销仍较低，平均分别为1.70%和2.73%。通过采用更小的子阵列大小或启用子阵列级并行性，在低阈值（如16K）下缓解ColumnDisturb仍然是可能的。CK-D和CK-P的面积开销分别仅为0.1 mm²和0.03 mm²。ColumnKeeper代码已开源。