本研究深入探讨了铁电随机存取存储器（FRAM）技术在面对故障注入攻击时的脆弱性。FRAM作为一种非易失性存储技术，广泛应用于医疗设备、工业控制系统和智能卡等安全敏感领域。论文通过系统性的实验设计，对FRAM芯片施加电压毛刺、电磁干扰和激光注入等多种故障注入手段，分析了其在不同工作条件下的错误表现。研究发现，攻击者可以利用精确时序的故障注入，在特定数据写入或读取操作中翻转比特位，或导致存储单元产生永久性损伤。实验还揭示了FRAM特有的铁电效应在故障注入下的非线性行为，与传统SRAM/DRAM相比具有不同的故障模型。作者提出了一个故障模型分类框架，并评估了现有硬件安全防护措施（如错误纠正码、冗余存储）的有效性。结果表明，部分防护方案在特定注入参数下仍可被绕过。该工作为FRAM安全评估提供了实验数据和理论依据，对设计安全嵌入式系统具有参考价值。