本研究深入探讨了铁电随机存取存储器（FRAM）技术在面对故障注入攻击时的脆弱性。FRAM作为一种非易失性存储技术，广泛应用于医疗设备、工业控制系统和智能卡等安全敏感领域。论文通过系统性的实验设计，对FRAM芯片施加电压毛刺、电磁干扰和激光注入等多种故障注入手段，分析了其在不同工作条件下的错误表现。研究发现，攻击者可以利用精确时序的故障注入，在特定数据写入或读取操作中翻转比特位，或导致存储单元产生永久性损伤。实验还揭示了FRAM特有的铁电效应在故障注入下的非线性行为，与传统SRAM/DRAM相比具有不同的故障模型。作者提出了一个故障模型分类框架，并评估了现有硬件安全防护措施（如错误纠正码、冗余存储）的有效性。结果表明，部分防护方案在特定注入参数下仍可被绕过。该工作为FRAM安全评估提供了实验数据和理论依据，对设计安全嵌入式系统具有参考价值。

该论文介绍了InjectV，一个基于gem5模拟器的RISC-V平台故障注入攻击框架。故障注入攻击（FIA）通过诱导计算或存储中的恶意故障来破坏系统安全。在硅前开发阶段评估抗攻击能力因物理实验成本高、复杂度大且可用性有限而极具挑战。InjectV提供了一种开发者导向的白盒视角，通过架构级模拟实现系统化的漏洞评估。它在安全关键的执行点（如控制流决策、计数器和比较操作）实现精确、引导式的故障注入，支持对攻击向量的系统探索。当前版本支持寄存器和内存中的瞬态故障攻击，扩展了模拟不同攻击场景的能力。实验基于FISSC套件中的安全基准测试（包括VerifyPIN应用的硬化变体）进行，结果表明InjectV能够有效识别故障注入点，与传统方法相比节省了95.8%的时间。该工作为硬件安全评估提供了低成本、高效率的预硅验证工具。