ScaleDisturb: Exploiting Temporal Asymmetry to Amplify Read Disturbance in Modern DRAM Chips
该论文研究了现代DRAM芯片中的读取干扰现象(如RowHammer和RowPress),即频繁访问或持续打开一个DRAM行(攻击行)会导致其物理邻近的未被访问行(受害行)发生比特翻转。这种干扰机制可从软件栈层面被实际利用,并随着密度缩放而加
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RowHammer 是一种因 DRAM 单元间的电荷泄漏导致比特翻转的硬件漏洞,随着工艺微缩,该问题日益严重。现有研究多依赖真实硬件实验或缺乏系统级建模的模拟器,难以全面评估操作系统交互和跨层缓解措施(如 TRR、ECC)的效果。本文提出
DRAM工艺的持续缩放使得RowHammer漏洞日益严重。JEDEC针对此问题引入了每行激活计数(PRAC)与Alert Back-Off协议作为DDR5的可选特性,但PRAC需要每行计数器单元,带来了面积开销,且每次激活更新计数器会延长D
本文是一项针对 Rowhammer 漏洞在真实硬件环境中流行程度的大规模研究。研究团队通过开发自动化测量工具,对大量不同型号、不同厂商的 DRAM 模块进行测试,系统性评估了 Rowhammer 现象的发生频率、触发条件以及影响因素。实验覆
本文提出了一种名为“Memory Band-Aid”的纵深防御方案,旨在缓解Rowhammer攻击。Rowhammer是一种利用DRAM内存单元间电磁干扰的硬件漏洞,攻击者通过密集访问同一内存行(激活行),可能导致相邻行发生位翻转,从而破坏
该论文研究了基于Rowhammer的GPU特权提升攻击。以往研究表明,配备GDDR显存的NVIDIA GPU易受Rowhammer比特翻转影响,但攻击仅限于破坏机器学习模型权重等非定向比特翻转,未能像CPU攻击那样实现特权提升。本文首先通过
Rowhammer漏洞随着DRAM工艺进步和代际更迭变得日益严峻,现有缓解方案如Graphene、Twice、Hydra主要依赖跟踪每行的激活次数,并在达到预设阈值时发出刷新指令。然而,这些方法存在固有缺陷,例如难以准确识别真正面临比特翻转